微纳加工

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紫外光刻机

Mask Aligner EVG 610TB

光刻是运用曝光的方式来将设计好的掩模图形转移到基底上的工艺手段。EVG光刻机是设计用于实验室研发,小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机供了良好的基片适应性,可夹持的标准尺寸基片最大直径为150mm。本设备提供了各种曝光模式,包括真空,软接触,硬接触,近邻等,并能实现键合对准、纳米压印、微接触印章等多种功能。

光刻参数:

衬底尺寸:小于100/150/200mm的晶圆,厚度小于10mm

掩膜版尺寸:5 / 7 / 9英寸

对准精度:± 0.5μm

分辨率:真空+硬接触≤ 0.8 μm;硬接触≤ 1.5 μm;软接触≤ 2.0 μm;接近式≥ 3.0 μm

纳米压印参数:

硬印章:1 x 1英寸有效压印区域,图形分辨率≤50 nm,对准精度± 0.1 μm

软印章:150mm有效压印区域,图形分辨率

≤50 nm 

广泛应用于半导体光刻工艺制程,光波导,光栅,微机电MEMS,二极管芯片,发光二极体(LED)芯片制造,显示面板LCD,光电器件,纳米压印以及电子封装等诸多领域。

1.不要频繁开关汞灯; 

2.汞灯刚打开后需要预热一段时间; 

3.检查氮气,CDA气压必须0.6MPa,N2气压0.4MPa 


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