微纳加工

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感应耦合等离子刻蚀机

ICP-RIE DSE200S

ICP-RIE是感应耦合等离子体刻蚀设备。与普通的RIE在等离子产生的原理上有一定区别。它是通过外置在腔体外的RF线圈将能量间接耦合到反应腔室从而产生等离子体。采用双频电源分别控制等离子体的能量和密度,从而实现超高刻蚀速率和高的深宽比。

气体参数

气体: 氩气, 氧气, 氮气, 氦气, 八氟环丁烷, 六氟化硫, 三氟甲烷

刻蚀参数

:                  >10 μm/min

二氧化硅:       >1 μm/min

均一性:       <3 %  8 inch晶圆

选择比:        PR  >50:1;对SiO2>150:1

刻蚀陡直度:    90±2°

侧壁粗糙度: < 500 nm 


主要用于Si, SiO2, Poly-Si, 石英等材料的快速刻蚀

设备关机或停止工艺后不能立即关闭工艺腔体的冷却水源

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